BJT vs FET

Τόσο το BJT (Διπολικό Τρανζίστορ Διασύνδεσης) όσο και το FET (Field Effect Transistor) είναι δύο τύποι τρανζίστορ. Το τρανζίστορ είναι μια ηλεκτρονική συσκευή ημιαγωγών που δίνει ένα μεγάλο ηλεκτρικό σήμα εξόδου για μικρές αλλαγές στα μικρά σήματα εισόδου. Λόγω αυτής της ποιότητας, η συσκευή μπορεί να χρησιμοποιηθεί είτε ως ενισχυτής είτε ως διακόπτης. Το Transistor απελευθερώθηκε τη δεκαετία του 1950 και μπορεί να θεωρηθεί ως μία από τις σημαντικότερες εφευρέσεις του 20ού αιώνα, δεδομένου ότι συμβάλλει στην ανάπτυξη της πληροφορικής. Διαφορετικοί τύποι αρχιτεκτονικών για τρανζίστορ έχουν δοκιμαστεί.

Διπολικό διζωνικό τρανζίστορ (BJT)

Το BJT αποτελείται από δύο διακλαδώσεις PN (μια διασταύρωση που γίνεται με τη σύνδεση ημιαγωγού τύπου ap και ημιαγωγού τύπου ν). Αυτοί οι δύο κόμβοι σχηματίζονται χρησιμοποιώντας τη σύνδεση τριών τεμαχίων ημιαγωγών με τη σειρά PNP ή NPN. Υπάρχουν δύο τύποι BJTs γνωστών ως PNP και NPN.

Τρία ηλεκτρόδια συνδέονται με αυτά τα τρία μέρη ημιαγωγών και το μεσαίο καλώδιο ονομάζεται «βάση». Άλλοι δύο κόμβοι είναι «πομπός» και «συλλέκτης».

Στο BJT, το ρεύμα μεγάλου συλλέκτη (Ic) ελέγχεται από το μικρό ρεύμα εκπομπής βάσης (ΙΒ) και αυτή η ιδιότητα αξιοποιείται για τον σχεδιασμό ενισχυτών ή διακοπτών. Εκεί μπορεί να θεωρηθεί ως συσκευή που κινείται με ρεύμα. Το BJT χρησιμοποιείται κυρίως σε κυκλώματα ενισχυτή.

Τρανζίστορ επιδράσεων πεδίου (FET)

Το FET αποτελείται από τρία τερματικά γνωστά ως «Gate», «Source» και «Drain». Εδώ το ρεύμα αποστράγγισης ελέγχεται από την τάση πύλης. Επομένως, τα FET είναι συσκευές ελεγχόμενες από τάση.

Ανάλογα με τον τύπο ημιαγωγού που χρησιμοποιείται για την πηγή και την αποστράγγιση (στο FET και οι δύο είναι κατασκευασμένοι από τον ίδιο τύπο ημιαγωγού), ένα FET μπορεί να είναι ένα κανάλι Ν ή μια συσκευή καναλιού Ρ. Η πηγή στην ροή του ρεύματος αποστράγγισης ελέγχεται ρυθμίζοντας το πλάτος του καναλιού εφαρμόζοντας μια κατάλληλη τάση στην πύλη. Υπάρχουν επίσης δύο τρόποι ελέγχου του πλάτους καναλιού που είναι γνωστό ως εξάντληση και βελτίωση. Επομένως, οι FET διατίθενται σε τέσσερις διαφορετικούς τύπους, όπως το κανάλι N ή το κανάλι P είτε σε κατάσταση εξάντλησης είτε σε λειτουργία βελτίωσης.

Υπάρχουν πολλοί τύποι FET, όπως MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (Υψηλής Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονικής Τρανζίστορς) και IGBT (Μόνωση Θύρας Διπολικής Τρανζίστορ). Το CNTFET (Carbon Nanotube FET) που προέκυψε από την ανάπτυξη της νανοτεχνολογίας είναι το τελευταίο μέλος της οικογένειας FET.